Abstract

این مقاله به ارائه و بررسی یک ساختار نوین از ترانزیستورهای اثر میدان نفوذی افقیLDMOSمیپردازد. در این ساختار جدید به منظور افزایش ولتاژ شکست پنجرههایی از جنس نیمههادی سیلیسیمی نوعp+ در فصل مشترک بین لا یه ی اکسید مدفون و ناحیه رانشی گنجانده شدهاست. این ساختار جدید، ترانزیستورPW-LDMOSنام دارد و نتایج شبیهسازی آن با نرم افزار شبیه ساز دوبعدی ATLASبا ساختار متداول ترانزیستورهایLDMOSمقایسه شده است. نتایج شبیهسازی نشان میدهد که وجود پنجره های سیلیسیمی نوعp+ میدان الکتریکی یکنواختتری را ایجاد میکند. همچنین با توجه به هدایت گرمایی بهتر سیلیسیم نسبت به اکسید سیلیسیم، اثرخودگرمایی بهبود مییابد